近日，部分自媒体宣称“歼-20换装碳化硅雷达，探测距离达1000公里”，引发广泛讨论。经技术溯源与业内核实，该说法存在严重事实偏差，核心问题集中于两点：碳化硅的真实作用与探测距离的夸大解读。

误区一：碳化硅并非雷达T/R组件，仅为基底材料。

网传所谓“碳化硅雷达”实为概念混淆。现代机载有源相控阵雷达的核心射频单元是 T/R组件（收发组件），其材料直接决定雷达性能。当前主流技术路径为：

第二代半导体：砷化镓（早期歼-20使用）

第三代半导体：氮化镓（现役歼-20升级方向），再下一代发展方向是氧化镓，而不是碳化硅。

碳化硅的角色：仅作为氮化镓芯片升电路耐压与散热能力，或者就是基底材料，而非核心发射单元，未来散热功能的发展方向是金钢石。

氮化镓与碳化硅同属第三代半导体，性能接近（击穿电场均约3MV/cm），并无代差优势。

真正代表技术突破的是 第四代半导体氧化镓（击穿电场可达8MV/cm），其雷达应用尚在中国处于测试阶段。

将使用碳化硅开关的雷达称为“碳化硅雷达”，如同将装有锂电池的手机宣称为“锂电手机”——忽略了核心处理器与芯片的存在。

误区二：1000公里探测距离缺乏物理基础，合理探测范围应为400以上公里。

根据雷达所公开数据及电磁波衰减模型：假设歼-20早期砷化镓雷达探测距离约270公里。升级氮化镓后，因功率与效率提升，探测距离增幅约50%-100%，即 400-500公里区间。未来换装氧化镓雷达的歼-35/歼-20改型，因孔径更大、材料升级，理论极限约 800公里。

“千公里说”来源的误读，该数据源自对山东大学某论文的曲解：文中提及碳化硅衬底使雷达 探测范围（面积）扩大至3倍，却被误读为 探测距离提升3倍。

关键换算：探测面积扩大3倍 → 探测距离仅增长√3≈1.7倍（以原距离300公里计，仅增至500公里）。

若强行按“3倍距离”计算（需功率提升27倍），需颠覆现有物理规律，远超当前材料技术极限。

为何碳化硅被误作“黑科技”？

部分观点混淆了击穿电场性能的参照系：

碳化硅击穿电场为硅的10倍，但氮化镓已达同级水平。夸大表述如“碳化硅性能超氮化镓10倍”，实为偷换概念。

未来方向：氧化镓与金刚石衬底。

可以预料下一代雷达的真正突破在于：氧化镓T/R组件：提升功率密度，缩短与理论探测极限的距离。

金刚石衬底：替代碳化硅，解决高频散热瓶颈，目前处于实验室阶段，或者是成本太高。

歼-20的雷达升级遵循客观技术规律：从砷化镓到氮化镓，未来迈向氧化镓。碳化硅作为开关关键材料 和优质衬底确有贡献，但将其冠名为“雷达技术革命”并衍生出千公里探测神话，既不符合材料科学原理，也脱离工程实际。真正的“代际跨越”，永远建立在严谨迭代与可验证数据之上。