最近市场彻底被半导体带飞！

在人工智能芯片需求持续旺盛的强力推动下，近日半导体相关股票集体拉升，板块热度直接拉满，相关指数同步大涨创下新高。

从年内表现来看，半导体相关指数表现遥遥领先，结合年内涨幅前三指数数据，中韩半导体指数、科创芯片指数、科创芯片设计指数位居前列，年内涨幅分别达86.33%、52.50%、49.64%，相关 ETF 产品持续获得资金青睐，成为布局半导体赛道的核心选择。

（数据来源：Choice，截至5月11日）

在一众强势的半导体指数中，中韩半导体指数表现尤为突出，对应的中韩半导体 ETF（513310）年内涨幅高达 85.16%。

同样聚焦半导体赛道，中韩半导体指数与科创芯片指数、科创芯片设计指数有着明显区别。

科创芯片指数聚焦 A 股本土半导体全产业链核心环节；科创芯片设计指数则更聚焦上游芯片设计领域；而中韩半导体指数是境内首只中韩合编指数，同时覆盖中韩两国半导体产业链，更是境内唯一能场内布局韩国存储芯片龙头的指数，韩国侧手握全球超 60% 的 DRAM 产能，A 股侧覆盖全链条核心资产，形成独特的 “中韩双核” 布局。

为什么它最能涨？

中韩半导体指数近期领涨，核心是踩中了全球存储芯片的超级周期风口。

据 TrendForce 数据显示，全球存储芯片短缺创 15 年之最，2026 年 Q2 通用型 DRAM 合约价环比涨幅预计达 58%-63%，NAND 闪存合约价环比涨幅高达 70%-75%，中信证券指出供不应求将持续至 2027 年，涨价贯穿 2026 年全年。同时国际投行集体唱多，高盛 5 月 7 日明确 “超配中国”，还将韩国综合指数目标位上调至 9000 点，花旗同步上调目标价至 8500 点。

双重利好下，韩股存储双雄爆发，SK 海力士 5 月 11 日大涨 11.51%，当周暴涨约 46%；三星电子涨 6.33%，当周涨约 29%，直接带动中韩半导体指数强势走高。

溢价风险需关注

亮眼涨幅背后，高溢价风险需理性看待。Choice数据显示，中韩半导体 ETF 最新溢价率飙升至20.41%，位居全市场首位，年内已停牌 56 次，基金公司发布超 131 次溢价风险提示(截至5月11日)。据“玩AI的老登”分析，20% 以上的溢价率意味着二级市场价格严重偏离净值，属于情绪过热信号，后续情绪降温或额度放开，可能带来溢价收敛波动，同时跨境汇率、交易时间差异带来的隔夜跳空也需留意。

风险提示：基金有风险，投资需谨慎。过往业绩不代表未来表现，基金管理人观点仅供参考。