1、美股异动 | 台积电(TSM.US)涨逾6% 拟进军先进内存芯片制造

　　周五，台积电(TSM.US)涨逾6%，报376.65美元。消息面上，据报道，两名消息人士表示，台积电正在考虑扩展到先进内存芯片制造领域，这一举措将使全球最大的芯片制造商在AI硬件供应链中占据更大份额。台积电(TSM.N)最近开始制定生产一种特定类型的先进内存芯片——3D DRAM的计划，响应其最大用户英伟达(NVDA.O)的请求。DRAM即动态随机存取内存，在处理器使用数据时保存数据。与传统DRAM不同，传统DRAM将内存单元放在单层中，而3D DRAM则将单元垂直堆叠以容纳更多内存。内存芯片制造目前由三星电子、SK海力士和美光科技主导。

2、费城半导体指数日内涨5%

　　费城半导体指数日内涨5.37%，现报9495.21点。英伟达涨4.94%，博通涨4.95%，美光涨7.24%，英特尔涨4.94%，AMD涨8.59%，高通涨2.39%，台积电涨7.50%，阿斯麦涨6.35%。

3、台积电据报拟进军先进存储芯片制造 应英伟达要求布局3D DRAM

　　据报道，台积电考虑将其业务范围拓展至先进存储芯片制造领域，此举将进一步扩大这家全球最大芯片制造商在AI硬件供应链中的份额。报道援引两名知情人士称，应最大客户英伟达的要求，台积电最近开始制定计划，生产一种名为3D DRAM的特殊类型先进存储芯片。由于AI硬件需求激增，存储芯片严重短缺，导致价格飙升，促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻找更多供应来源。苹果今年早些时候上调了部分产品价格，理由是存储芯片成本上升。

4、费城半导体指数日内涨6%

　　费城半导体指数日内涨6.01%，现报9552.37点。英伟达涨6.90%，博通涨4.67%，美光涨9.17%，英特尔涨8.22%，AMD涨11.67%，高通涨3.95%，台积电涨7.55%，阿斯麦涨6.10%。

5、RTX 50系显卡涨价到底和AI芯片有什么关系

　　一、传导链从AI服务器传到显卡显存先涨：AI数据中心扩张推高HBM和服务器内存需求，存储原厂将先进DRAM产能向AI产品倾斜，集邦咨询判断原厂产能转向HBM会挤占GDDR6/GDDR7产能。套装跟涨：英伟达向显卡厂商发出的“GPU+显存”套装涨价通知，核心原因就是存储价格持续上涨，且同时波及GDDR7与上一代GDDR6。芯片分配：台积电先进制程和GDDR7资源被优先供给利润更高的AI算力卡，消费级游戏显卡配额被压缩，英伟达也承认芯片供给受限。