12月27日，英诺赛科科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）公告配发结果，公司全球发售约发售4536.40万股H股股份，香港公开发售占约10%，国际发售占约90%。最终发售价为每股30.86港元，面向散户部分获得2.87倍认购。将通过香港IPO净筹资13亿港元。

此次IPO中金公司和招银国际为联席保荐人，基石投资者包括，意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联、苏州高端装备。

英诺赛科成立于2017年，是全球领先的氮化镓功率半导体厂商，致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化。经过多年对氮化镓相关尖端技术的研发深耕，和对产品创新及市场拓展的不懈努力。如今，英诺赛科已具备强大的产研能力，并在市场上牢牢占据领先地位。根据弗若斯特沙利文的资料显示，2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。

指数级增长的朝阳产业

不久前，英诺赛科凭借在推动中国氮化镓技术产业发展中做出的卓越贡献，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。

近年来，随着电动汽车、数据中心、新能源发电及电网等相关产业的快速发展，更高效且更具经济效益的功率半导体产品的市场需求激增，促使行业内默默孕育着一场半导体材料革命。而氮化镓正是引领这场革命的核心。

氮化镓作为极具性能优势的第三代半导体材料。相比传统硅材质，具有明显的宽带隙、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压、耐高温等综合优势。目前，氮化镓已在中低压的多个应用领域大放异彩，而在高压应用中的潜力更是不容小觑。

弗若斯特沙利文研究：功率半导体是电子器件中电源转换和电路控制的核心，预计全球功率半导体市场规模将由2024年的人民币3,680亿元增至2028年的人民币4,968亿元，复合年增长率为7.8%。

其中，氮化镓功率半导体产品在过去几年强势增长。其市场规模自2019年的人民币1.39亿元迅速增长至2023年的人民币17.6亿元，复合年增长率高达88.5%。而随着氮化镓技术越趋成熟以及下游应用范围更为广泛，2023年被视为氮化镓行业指数级增长的开局之年。

来源：公司招股书

2023年，氮化镓在全球功率半导体市场中的渗透率为0.5%，占功率半导体分立器件市场的1.4%。预计到2028年，占全球功率半导体市场的份额将提升至10.1%。2024年至2028年的复合年增长率将达到98.5%。

无可争议的行业龙头

无论是行业内还是资本，对于氮化镓技术的认可与重视程度不容置否。此时，具有深厚专利技术沉淀，以及大规模商业化能力的企业更容易获得更多的市场资源倾斜，从而取得先发优势。而英诺赛科无疑是这一赛道中当之无愧的头部玩家。

根据弗若斯特沙利文的统计，2023年，英诺赛科来自氮化镓功率半导体业务的收入在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名首位，市场份额为33.7%。

来源：公司招股书

英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月12,500片晶圆。并且是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司。8英寸硅基氮化镓晶圆具有更多的有效面积、更先进的工艺技术、更高的生产效率及低成本等优势，与传统的6英寸晶圆相比，每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。在先进的工艺和完善的流程控制下，公司目前产品的良率高于95%，亦高于其他氮化镓功率半导体制造公司的平均产品良率（约90%至95%）。

此外，英诺赛科亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。显示出公司在氮化镓技术的全面专业的研发和制造能力。

英诺赛科的核心竞争力源自其领先的技术研发实力和全产业链模式。公司拥有来自国际一流半导体企业的技术专家和资深人士，在氮化镓材料生长、芯片设计、制造工艺等方面拥有多项自主知识产权和核心技术。

创始人Luo博士为一位世界级科学家及富有远见的企业家，具备丰富经验。在创办本公司之前，Luo博士多年来一直从事科学研究、项目管理及创业。

研发方面，英诺赛科于苏州建立了全球研发中心，并致力于创新及着重研发本身的技术平台的升级。在技术平台不断迭代与完善中，公司产品的性能持续提升，生产成本持续下降。并推动了关键性能指标的不断突破。例如公司首创的双向氮化镓系列，有效提升了33%面积效率，同时降低了30%系统损耗，一颗双向增强型双向氮化镓芯片就能替换两颗硅MOSFET。

目前，公司研发工作于全球已累计获得406项专利，其中包括331项发明专利、75项实用新型专利以及387项专利申请。产品已从消费级迈向工业级，并正在向车规级迈进，以更高的产品质量标准涵盖更广泛的应用领域。

公司采用IDM一体化垂直运作模式，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试。实现了全产业链的自主可控，有效保证了产品的质量和性能。相比于传统晶圆代工厂，IDM模式在设计生产协同、产能和供应链的稳定性、成本和工艺技术升级方面具有明显优势。有望成为未来氮化镓产业的主导商业模式，市场观点也认为，早期布局IDM的企业可获得先发优势及长期竞争力。

盈利能力显著改善，即将进入收获期

随着产能及产品供应的扩大以及核心技术的成熟。英诺赛科逐步进入收获期，营收规模持续扩大。2021年至2023年，英诺赛科实现营业收入分别为人民币0.68亿元、1.36亿元、5.93亿元，年均复合增长率为194.8%。截至2024年6月底，营业收入为3.86亿元，同比增长25.2%。

目前，英诺赛科向中国和海外（主要包括亚洲及欧洲）约140名客户提供氮化镓产品。并获得了客户的广泛认可。

不久前，公司40V车规级产品INN040FQ045A-Q也荣获了“年度影响力产品”奖。进一步印证了公司强劲的研发技术实力和优秀的产业化能力。

据介绍，该产品是英诺赛科基于40V车规平台开发的一款超小封装的氮化镓车规芯片，已通过AEC-Q101车规级认证。该芯片具备小体积、低损耗、高频高功率的优点，是继车载激光雷达之后第二款打入车规前装市场的氮化镓芯片，为新能源汽车的智能化、便捷化提供了有力支持。

在半导体产业中，IDM模式的公司在实现规模经济之前会先经过design-in及design-win的过程，这是指客户在产品设计时间的早期与供货商合作，提出并完善符合客户需求及市场趋势的设计（design-in），以及随后获得客户确认采用产品设计（design-win）的过程。

目前，公司正逐步实现规模经济增长及经营效率的提升，净亏损逐步收窄。截至2024年6月底，公司期内亏损减少15.8%，经调整净亏损（非香港财务报告准则计量）同比减少31.2%。

公司预期透过持续收入增长、规模经济增长及提升经营效率，在不久的将来改善财务表现、实现盈利。