引言：AI时代存力发展和创新突破

随着大模型参数量突破万亿级，GPU/NPU的算力正以每年10倍的速度迭代升级，然而存力性能的进化却显得迟缓滞后，缺乏富有想象力的创新，正逐渐成为制约AI迅猛发展的瓶颈。在MemoryS 2025闪存市场峰会上，得一微首次创新性地提出“AI存力芯片”概念，为整个芯片行业带来了突破性的设计思路。

得一微董事长吴大畏先生在接受集微网专访时指出：“AI存力芯片不是简单的功能叠加，而是从架构层重构了计算范式，让存储介质从‘被动数据容器’进化为‘主动智能中枢’，最终实现让每比特数据创造更多智能的自我进化。”

认知跃迁，让存力学会思考

“传统存力主控芯片主要承担基础的数据读写管理功能，采用指令响应式的被动处理架构。”吴大畏先生在接受集微网专访时介绍，“而得一微的AI存力芯片，通过在芯片层面集成AI存力智能体单元，实现存力智能体与算力智能体之间的高效交互，从而提升数据处理的智能化水平。不仅是给AI配存力，更是让存力学会思考。”

吴大畏进一步说明：“相较于传统的存储加速方案，该技术着眼于提升存储介质的认知能力。通过将神经网络处理器（NPU）与存储控制器深度集成，得一微正构建存算协同的智能处理范式，为下一代存储架构发展创新提供新的技术路径。”

架构重构，得一微闪存大模型的创新路径

在人工智能的广阔领域中，得一微从苹果公司的一篇论文《LLM in a flash: Efficient Large Language Model Inference with Limited Memory》（中文译名《闪存中的大模型：有限内存的高效大模型推理》）中汲取了宝贵灵感，积极探索存力芯片如何更好地服务大型语言模型（LLM）。这篇论文为大模型在有限内存环境下实现高效推理提供了全新的视角和思路，而得一微敏锐地捕捉到了这一理念的巨大潜力，坚信闪存技术与大模型的深度融合将开辟出前所未有的创新路径，为人工智能的发展注入新的活力。

与此同时，闪迪的HBF高带宽闪存开发成果为整个业界注入了新活力。HBF高带宽闪存凭借其卓越的性能和创新架构，显著提升了数据传输速度和存储效率，为大模型的稳定运行提供了更为坚实的硬件基础。这一技术突破不仅精准满足了大模型对海量数据存储和快速读写的严苛需求，更为存力芯片与大模型的融合发展提供了有力支撑。

在大模型架构演进方向上，得一微将稀疏模型架构视为未来发展的必然趋势。尽管当前MoE（Mixture of Experts）架构在大模型中取得了显著成果，但在得一微看来，这并非大模型架构的终极目标，未来宏观的模块稀疏逐渐向微观的神经元级别稀疏迈进，而这种神经元级别的稀疏架构与闪存技术的特性高度契合，有望充分发挥闪存的存储和读写优势，实现大模型在效能、成本等方面的全面优化。

基于此，得一微着力研发如何利用闪存技术特性，设计出更高效、更灵活适配神经元级稀疏模型的AI存力芯片架构，通过技术创新推动大模型向更高效率演进。

技术矩阵，存储控制+存算互联+存算一体的协同进化

“闪存和大模型融合的架构创新只是起点，真正的考验在于量产化落地。”吴大畏在采访中透露，得一微“AI存力芯片”技术路径，通过存储控制、存算互联、存算一体三大核心技术矩阵，正在重构数据流，引领存力芯片智能化升级。

优化存储调度：通过先进的存储控制技术，优化数据在存储介质中的存取策略，最大化存储带宽利用率，降低访问延迟。使数据在存储介质中的读写更加高效、流畅，为AI应用提供了更快速、更稳定的数据支持。

打通高速通道：利用存算互联技术，构建更高效（更高带宽、更低延迟）、更智能（支持QoS、确定性延迟）的连接通道，让数据能更快、更顺畅地直达计算单元。大幅缩短数据传输时间，提高系统的整体响应速度，为AI负载的高效处理提供有力保障。

颠覆性架构：探索存算一体技术，将部分计算直接放在存储单元内部或近端执行，从根本上减少甚至消除数据搬运的需求，实现指数级的能效比提升和延迟降低。这也是让庞大算力得以“吃饱”、“高效工作”的关键所在。

全栈生态赋能，加速AI时代存力进化

基于存储控制、存算互联和存算一体三大技术支柱，得一微在AI手机、AI PC、AI汽车、AIoT及AI服务器五大领域，构建起覆盖智慧终端、智能汽车与智算中心的完整存力生态，展现出强大的技术实力和市场影响力。

AI手机突破：得一微作为国产存力主控芯片设计企业，已大规模进入核心手机厂商供应链，其技术实力得到了闪存原厂的高度认可。得一微自研的eMMC存力主控芯片历经10多年市场量产验证，还推出了中国大陆首款商用量产UFS 3.1存力主控芯片，读写速度超过2GB/s，性能卓越可靠，为智能手机普及AI应用提供了强有力的支持，持续为用户带来更流畅的智能体验。

AI汽车攻坚：得一微车规级存力芯片已成功应用于东风、长安、吉利、上汽、陕汽、一汽、长城等多家主流车企，成为公司成长最快的业务之一。目前，公司已构建起完备的车规级存力产品矩阵，量产了多款车规eMMC、BGA SSD，并即将推出车规UFS存力芯片。这些产品依托得一微自主底层芯片设计能力，在性能、可靠性和能效等方面深度优化，符合严苛的车规标准，为智能汽车提供安全可靠的存储保障，助力汽车行业向智能化、电动化方向迈进。

AI服务器跃迁：得一微AI-MemoryX显存扩展解决方案，依托自研芯片和AI存储系统级创新，显著提升了单机的显存容量，突破大模型训练的显存瓶颈，为AI服务器的高性能运行提供关键支持。随着AI-MemoryX技术的迭代创新，得一微将以AI-MemoryX SSD进入智算中心存力市场，推动产品从功能型向智能型升级。此外，得一微还积极布局CXL存算芯片设计开发，提升存算融合效率，为未来数据中心、AI计算等场景带来创新解决方案。

AI PC进化：得一微SSD存力主控芯片年出货量数千万颗，新一代PCIe 5.0存力主控芯片即将推出，支持高达14.5 GB/s传输速率，采用先进的架构设计，实现更高的数据传输速率和更低的延迟，进一步满足AI PC、边缘计算等场景对存储性能的极致需求，助力AI技术的规模化应用。

AIoT智能渗透：在AIoT（人工智能物联网）领域，得一微存力解决方案早已实现规模化应用，其eMMC、SD卡、TF卡年出货量超亿颗，产品广泛应用于智能家居、智能安防、工业物联网等多个领域，为万物智联提供高可靠、低功耗的存力支持，助力各行业智能化升级。

河图计划，引领存力智能革命

站在2025年的技术高地，得一微正式启动“河图计划”——基于存算一体架构的AI存力芯片研发战略。该计划通过突破性的架构创新，推动存储介质从“数据容器”向“智能载体”演进，引领存力芯片行业进入全新的发展阶段。这一计划也直指得一微“让每比特数据创造更多智能”的企业愿景。

正如吴大畏先生所言，“未来的存储设备将是会‘思考’的智能体，当每个SSD固态硬盘都具备自我认知架构，它们不仅能存储数据，更能理解数据、优化数据，甚至在休眠状态下持续进行数据价值挖掘和自我进化——这才是存力真正的智能革命。”

当存力长出AI大脑，存力也将成为一种重要的算力。得一微正凭借其卓越的技术实力和创新精神，成为这一变革中的关键突破者，引领存力芯片行业迈向更智能、高效的未来，为全球存力进化提供先进智能的中国方案。