近日，在接受上海证券报记者专访时，赵善麒直言：“短期价格战虽带来阵痛，但中国功率半导体90%的高端市场仍待攻克，这正是我们十九载坚守的意义——以硬核技术实力，锚定长期价值。”

赵善麒

在功率半导体行业深度调整的当下，宏微科技董事长赵善麒始终认为，坚守初心才是破局之道。

近日，在接受上海证券报记者专访时，赵善麒直言：“短期价格战虽带来阵痛，但中国功率半导体90%的高端市场仍待攻克，这正是我们十九载坚守的意义——以硬核技术实力，锚定长期价值。”

“从芯出发，驱动未来”，这句镌刻在宏微科技发展脉络中的誓言，绝非空谈。公司凭借稳健的技术迭代节奏和清晰的市场布局，在本土化浪潮中稳步前行。

技术卡位与市场深耕双轮驱动

2006年的创业抉择，源于赵善麒对行业趋势的敏锐判断：彼时，新能源汽车与工业控制领域对功率半导体的需求正在萌芽，而英飞凌等国际巨头却牢牢占据着全球90%以上的高端市场份额；与此同时，中国制造业向高端迈进的进程中，核心器件的供应成为亟待突破的瓶颈。“当时国内IGBT（绝缘栅双极晶体管）产业近乎空白，但我们捕捉到了技术追赶的黄金机遇。”赵善麒回忆道，公司选择以FRD（快恢复二极管）为切入点，于2007年成功推出M1dF系列芯片，正式开启征程。

历经多年深耕，宏微科技以深厚的技术积累构建起坚实的护城河。在IGBT、FRD等功率半导体的芯片设计、单管制造、模块封装及测试等核心环节，公司均实现了关键技术突破。2024年，宏微科技携手华虹宏力等产业链伙伴，率先完成12英寸晶圆量产工艺革新；通过沟槽栅场阻断结构、超微沟槽技术等工艺创新，推动IGBT、碳化硅MOSFET等产品性能对标国际先进水平。特别是在车规级领域，公司第七代IGBT模块已实现规模化生产，并成功进入国内头部车企供应链体系。

公司的技术优势更体现在全链条布局上，从微沟槽栅、虚拟元胞等芯片设计技术，到双面散热塑封等先进封装工艺，再到严苛的测试流程，形成了完整的技术闭环。凭借技术实力，宏微科技的产品广泛应用于工业控制、新能源汽车、光伏储能、家电等多个领域。

谈及业务规划，赵善麒表示，公司将持续深化“新能源汽车+光伏储能+工业控制”三大核心市场布局。2024年，公司车规模块装车量同比实现翻倍增长，光伏模块也已稳定批量供应市场，同时与汇川技术、台达集团等工业领域头部客户建立了深度合作关系。

在AI技术蓬勃发展的背景下，数据中心对服务器和UPS的需求激增。赵善麒透露，数据中心、服务器电源等新兴领域已成为公司重点开拓方向。目前，在该领域，宏微科技已与多家国际客户达成长期合作，通过标准化与定制化相结合的产品策略，加速在新兴市场的布局。

抢占第三代半导体风口

近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，正重塑功率半导体产业版图。SiC凭借高耐压、耐高温的特性，在新能源汽车800V高压平台、轨道交通及数据中心电源中加速渗透；GaN则以高电子迁移率、低导通电阻和高频性能脱颖而出，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势。

赵善麒认为，碳化硅技术是重构产业竞争格局的关键机遇。为此，公司选择逆周期加大研发投入，全力突破SiC/GaN等前沿技术瓶颈。

在技术攻坚领域，宏微科技已取得实质性进展：公司首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片已通过可靠性验证，自研SiC SBD芯片也已通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，部分产品已形成小批量出货。宏微科技控股子公司宏微爱赛专注SiC/GaN赛道，联合科研机构探索高附加值应用场景，加速推动第三代半导体器件的大批量出货。目前，其研发的650V 75毫欧SiC器件已成功流片，单管性能满足CRPS电源应用需求，正在客户端进行验证。

“公司将持续强化SiC战略布局，加快1200V SiC MOSFET芯片和SiC车规模块的验证及交付进程。”赵善麒特别提到，1200V SiC MOSFET车规级模块是公司重点布局的战略产品，“一旦完成可靠性验证和头部车企评估，该产品在高压平台趋势下将释放巨大市场潜力”。

在修炼内功的过程中，宏微科技同步收获了技术溢价，走出应对行业周期波动的独特路径。“公司通过第七代M7i IGBT模块和SiC模块等高端产品实现技术溢价，维持核心产品的定价优势。”赵善麒说。

与此同时，宏微科技还在拓展海外高端市场，以对冲单一市场风险。“公司产品已打入日立能源、西门子等国际供应链。”赵善麒向记者透露，公司将加大欧洲市场的开拓力度。

技术卡位与市场深耕双轮驱动，是公司抢占行业复苏先机的核心策略。展望未来，宏微科技将以“硅基+碳化硅”技术为支撑，以“灌封+塑封”先进封装工艺为依托，持续提升核心竞争力，在功率半导体赛道上稳步向前。