AI基建狂潮驱动“存储芯片超级周期”背景下,算力与存储再次成为全球金融市场的投资关键词。
瑞银指出,AI驱动的HBM需求持续挤占传统DDR产能,叠加服务器换机周期与SSD需求同步爆发,全球DRAM市场供需缺口将延续至2027年第四季度,这是近三十年来未曾出现过的存储超级周期。
面对国产替代与需求共振的超级风口,中国芯片产业正以势不可挡之姿站上产业浪潮之巅。国产芯片替代进程持续提速,兼具高纯度、高流动性、高人气的科创芯片设计ETF国联安脱颖而出,近期产品规模已突破10亿元。
时代的红利:算力+存储共振,全球半导体迎来上行周期
当前,以人工智能为主导的半导体产业链,正在经历着斗转星移、日新月异的变化:AI大模型持续渗透落地,算力需求不再局限于软件算法层面,全面向芯片硬件端纵深传导,半导体全产业链同步迈入高景气上行周期。
从供需两端来看,行业利好持续发酵。
需求端,全球算力订单持续放量:AMD直接将2030年服务器市场规模预期翻倍上调至1200亿美元,高盛测算五年内企业级智能体将带动全球Token消耗量暴涨24倍;海外AI企业加紧采购芯片,国内科技巨头也一改精选采购模式,开启全面扫货,头部企业采购动作印证行业高景气。
供给端,存储芯片率先突围,实现量价齐升:韩国半导体出口连续13个月刷新月度记录,头部厂商集中产能转向HBM、DDR5等高端存储芯片,高端化升级趋势明确;同时晶圆代工、先进封装订单饱满,产业链产能结构持续优化。
二级市场上,机构资金开启半导体核心资产重估,五一节后存储、国产算力、GPU板块集体爆发,叠加国内AI产品商业化落地,行业盈利逻辑彻底跑通,科创板块成长属性拉满,芯片赛道依然处于黄金布局窗口期。
A股芯片设计:从“概念驱动”走向“业绩驱动”
在整条半导体产业链中,芯片设计作为最上游核心环节,是算力产业发展的底层基石,承接全产业链红利,兼具高成长性与高弹性,当之无愧成为本轮科技行情的核心受益赛道。
而本轮芯片设计板块行情的爆发,除了持续验证的产业需求外,更重要的是,相关龙头公司迎来了业绩收获期,真正实现了估值与业绩的同向超预期正增长。
SIA(Semiconductor Industry Association美国半导体行业协会)最新月报显示,2026年3月全球半导体销售额约993亿美元,同比增长79.2%;其中中国区销售额同比增长74.8%,已连续29个月实现同比增长,意味着存储芯片涨价已从市场预期,正式迈入价格上行与企业业绩兑现的双重验证阶段。IDC(International Data Corporation国际数据公司)预测进一步提振市场信心,预计2026年全球半导体营收将达1.29万亿美元,同比增长52.8%;仅DRAM领域营收就将增长近两倍,超大规模数据中心资本开支预计达6000亿美元。当前半导体缺货并非短期行情扰动,而是AI领域大规模资本开支带动的长周期需求爆发。
在此背景下,A股半导体板块还叠加独有的国产算力替代逻辑。中东局势趋于缓和、海外市场情绪回暖,叠加国内CSP大厂资本开支显著提升,国产算力芯片供需缺口持续拉大,进一步放大了板块成长弹性。
A股一季报数据显示,国产算力企业业绩全面向好:某国产AI芯片龙头一季度营收同比增长160%、净利润暴增185%,经营现金流首次转正;另一CPU+DCU双轮驱动龙头营收首破40亿元、同比增长68%;还有一家国产GPU公司成为首家实现季度盈利的“新秀”。
中信证券表示,存储芯片供不应求格局至少持续至2027年底,涨价行情将贯穿2026年全年。而从需求端来看,美国科技巨头AI烧钱“大战”愈演愈烈。亚马逊、Meta、微软和谷歌母公司Alphabet四大云厂商今年资本支出计划最高达7250亿美元,较先前约6500亿美元的“史诗级规模”进一步抬升。为存储芯片需求持续提供强劲支撑。
科创芯片设计指数“924”以来涨幅超320%
自2024年9月24日市场强势回暖后,科创芯片设计指数走出强势行情,涨幅领先于各类半导体细分指数,超额收益表现亮眼。
“站在光里的”科创芯片设计指数 指数简称自“924”以来涨幅(%) 科创芯片设计322.96科创芯片304.16中证半导237.82中证全指半导体219.20科创半导体材料设备208.51芯片产业205.74半导体行业精选206.44中华半导体芯片203.94国证芯片200.88半导体材料设备200.58
统计区间为2024.9.24-2026.5.7,指数历史表现不代表未来表现。“924”是指2024年9月24日。
而在跟踪科创芯片设计指数的ETF产品中,科创芯片设计ETF国联安(588780)成立时间最早、产品规模最大、流动性优,是投资者一键布局科创芯片优质资产的便利选择。
近期,科创芯片设计ETF国联安588780也在近期规模上破10亿元,正式步入产品生命周期的新台阶。
10亿元规模的背后,是一系列亮眼的交易数据。截至2026年5月7日,科创芯片设计ETF国联安588780,年内日均成交额1.50亿元,成立以来的日均换手率超20%,场内交投活跃、流动性领先,备受广大投资者认可。
科创芯片设计指数,高度聚焦芯片设计核心环节,覆盖核心技术创新龙头。其中,芯片设计核心环节数字芯片设计占比77.36%,模拟芯片设计占比16.74%,两者合计超过94%。
受益于AI芯片需求激增、国产算力推进,叠加科创板20CM涨跌幅的板块属性,科创芯片设计指数的成长弹性突出,能够助力投资者充分享受芯片设计领域的高成长潜力。
因此,该指数适配对半导体细分领域高景气赛道有布局需求的投资者,通过指数投资,分散个股踩雷风险,高效把握芯片设计国产替代与行业景气共振的历史机遇。
科创芯片设计指数前十大成分股(950162)
仅为指数成分股展示,不作为个股推荐。
专业护航,深耕硬科技价值赛道
紧抓AI时代,布局中国“芯未来
国联安基金作为科技赛道深耕者,自2019年推出爆款半导体ETF后,持续深耕科技赛道,搭建起覆盖半导体、科创板、港股科技的多元化产品矩阵。凭借成熟的投研体系和精细化运营管理,精准捕捉产业发展红利,陪伴投资者长期分享硬科技成长收益。
芯片是科技产业的基石,自主可控是国产芯片的发展大势。在AI算力爆发、国产替代加速的双重加持下,芯片设计赛道成长逻辑清晰,长期发展空间广阔。
布局科创优质芯片资产,把握AI算力+存储时代风口!对于认可A股硬科技板块机会的投资者来说,科创芯片设计ETF国联安(588780)是便利布局的好选择。
产品风险等级:科创芯片设计ETF国联安风险等级为R3(中风险),本风险等级仅为基金管理人评价结果,基金代销机构评价结果不必然与基金管理人一致,请投资者在投资前根据所适用的销售机构的风险测评以及匹配结果独立做出投资决策。
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